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3310G系列直流电子负载的功能特性及应用

作者:银河总站 发布时间:2020-12-29 15:29 点击:

  3310G系列直流电子负载(具倍增模式-Turbomode):是由3310F系列升级而来的,除有3310F系列功能外,新增以下功能:

  ●须安装在机框3302G〔单组框〕3302G机框提供NTC模拟测试功能(选购)、3305G〔双组框〕或3300G〔四组框〕上,且机框上具有150组存储/呼叫记忆。

  ●Turbomode(倍增模式),能够在短时间内承受多达4倍电流与功率的电子负载,最适合Fuse/Breaker及BMS、短路、OCP、OPP测试。

  ●定电流、定电阻、定电压、定功率、定电流+定电压、定功率+定电压、动态及短路模式

  ●每个3310G系列模块均有独立的控制及显示面板、定电流/定电阻/定电压/定功率/定电流+定电压/定功率+定电压/动态模式,配合3300G机框上的150组储存/呼叫记忆,能有效地控制所有负载的设定,更可透过RS232、Ethernet、USB和GPIB等界面进行远端控制。

  ●在定电流及定功率模式下,可做动态负载之模拟,其电流上升、下降斜率均为独立可调,另具有一外部输入任意波形之动态负载功能。

  ●可设定的吃载/停止吃载(LOADON/OFF)电压点及良/不良(GO/NG)的比较判断功能、电压极性显示可正可负及150组储存/呼叫记忆,使得负载更适用于各种不同的应用。

  ●多达150组测试参数及状态的储存功能,让其可根据自动测试(autosequence)需求,随时将储存记忆调出来任意使用。

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  05A是一款宽VIN高效同步降压稳压器,集成了高端和低端功率MOSFET。该器件采用固定频率电压模式PWM控制器,支持4.5 V至65 V的宽电压范围,可处理高达8 A的连续电流。 FAN65005A具有0.67%的精确参考电压,可实现严格的调节。开关频率可以设置为100 kHz至1 MHz。该单相降压稳压器提供完整的保护功能,包括过流保护,热关断,欠压锁定,过压保护,欠压保护和短路保护。该器件采用紧凑的6 x 6 mm PQFN封装。 特性 优势 宽输入电压范围:4.5 V至65 V 支持广泛的应用程序 开关频率:100 kHz至1 MHz 允许在尺寸,效率和最大占空比之间进行优化 0.6 V参考电压,准确度为0.67% 保持电压精度 可选CCM PWM模式或PFM模式轻载荷 重载和轻载时的最佳效率 过流保护,热关断,过压保护,欠压保护和短路-circuit Protection 完全防止电压,电流和温度故障...

  FAN65004B 同步PWM降压稳压器 高性能 电压模式 65 V 6 A.

  04B是一款宽VIN高效同步降压稳压器,集成了高端和低端功率MOSFET。该器件采用固定频率电压模式PWM控制器,支持4.5 V至65 V的宽电压范围,可处理高达6 A的连续电流.FAN65004B具有0.67%的精确参考电压,可实现严格的调节。开关频率可编程为100 kHz至1 MHz。 该单相降压稳压器提供完整的保护功能,包括过流保护,热关断,欠压锁定,过压保护,欠压保护和短路保护。该器件采用紧凑的6 x 6 mm PQFN封装。 特性 优势 宽输入电压范围:4.5 V至65 V 支持广泛的应用程序 开关频率:100 kHz至1 MHz 允许在尺寸,效率和最大占空比之间进行优化 0.6 V参考电压,准确度为0.67% 保持电压精度 可选CCM PWM模式或PFM模式轻载荷 重载和轻载时的最佳效率 过流保护,热关断,过压保护,欠压保护和短路-circuit Protection 完全防止电压,电流和温度故障...

  FAN65008B 同步PWM降压稳压器 高性能 电压模式 65 V 10 A

  08B是一款宽VIN高效同步降压稳压器,集成了高侧和低侧功率MOSFET。该器件采用固定频率电压模式PWM控制器,支持4.5 V至65 V的宽电压范围,可处理高达10 A的连续电流。 FAN65008B具有0.67%的精确参考电压,可实现严格的调节。开关频率可以设置为100 kHz至1 MHz。该单相降压稳压器提供完整的保护功能,包括过流保护,热关断,欠压锁定,过压保护,欠压保护和短路保护。该器件采用紧凑的6 x 6 mm PQFN封装。 特性 优势 宽输入电压范围:4.5 V至65 V 支持广泛的应用程序 开关频率:100 kHz至1 MHz 允许在尺寸,效率和最大占空比之间进行优化 0.6 V参考电压,准确度为0.67% 保持电压精度 可选CCM PWM模式或PFM模式轻载荷 重载和轻载时的最佳效率 过流保护,热关断,过压保护,欠压保护和短路-circuit Protection 完全防止电压,电流和温度故障...

  BQ2204A 用于 4 SRAM 内存组的 SRAM 非易失性控制器 IC

  CMOS bq2204A SRAM非易失性控制器单元提供所有必要的功能,可将多达四组标准CMOS SRAM转换为非易失性读/写存储器。 精密比较器监视5V V CC 输入,以获得超出容差的条件。当检测到超出容差时,四个经过调节的芯片使能输出被强制为无效,以便对多达四组SRAM进行写保护。 在电源故障期间,外部SRAM从V CC 电源切换到两个3V备用电源中的一个。在随后的上电中,SRAM被写保护,直到存在电源有效状态。 在电源有效操作期间,双输入解码器透明地选择最多四组SRAM中的一个。 特性 3伏电池备份应用的电源监控和切换 写保护控制 2输入解码器,用于控制多达4组SRAM 3伏主单元输入 芯片使能传播延迟小于10ns 5 %或10%供应操作 参数 与其它产品相比 电池保护器   Features Rating Package Group Approx. price (US$)   BQ2204A Controller     Catalog     PDIP 16 SOIC 16     3.40 1ku    ...

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  CMOS bq2201 SRAM非易失性控制器单元提供将标准CMOS SRAM转换为非易失性读/写存储器所需的所有功能。 精密比较器监视5V V CC 输入是否超出容差条件。当检测到超出容差范围时,有条件芯片使能输出被强制为无效,以对任何标准CMOS SRAM进行写保护。 在电源故障期间,外部SRAM从V CC 电源切换到两个3V备用电源之一。在随后的上电中,SRAM被写保护,直到存在电源有效状态。 bq2201具有足迹和时序兼容的行业标准,并具有芯片使能传播延迟小于10ns的额外优势。 特性 3伏电池备份应用的电源监控和切换 写保护控制 3伏主电池输入 小于10ns芯片使能传播延迟 5%或10%供电操作 参数 与其它产品相比 电池保护器   Features Rating Package Group Approx. price (US$)   BQ2201 Controller     Catalog     SOIC 8     2.21 1ku    ...

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